Skúmanie vybraných vlastností Schottkyho štruktúr na GaAs : Dipl.práca /

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Topolčány, Andrej (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Donoval, Daniel, 1953- (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1997
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu10469
005	20160719164938.1
008	980114s1997----------------------------d
040			\|a STU \|b slo
041	0
100	1		\|a Topolčány, Andrej \|4 aut
245	1		\|a Skúmanie vybraných vlastností Schottkyho štruktúr na GaAs : \|b Dipl.práca / \|c [aut.] Topolčány,Andrej; Škol. Donoval,Daniel
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 1997
300			\|a 64 s
700	1		\|a Donoval, Daniel, \|d 1953- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 2039 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000002039