Návrh, príprava a charakterizácia (AJGa)As - MQW/GaAs štruktúr RCE PIN fotodiód : Dipl.práca /
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1997
|
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Návrh, príprava a charakterizácia (AJGa)As - MQW/GaAs štruktúr RCE PIN fotodiód :
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Skúmanie vybraných vlastností Schottkyho štruktúr na GaAs : Dipl.práca /
- Odporové profily polovodičových štruktúr na báze GaAs : Dipl.práca /
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
- Výskum heterogénnych štruktúr na báze GaAs