Homoštrukturálne VS. heteroštrukturálne GaAs detektory s P-N priechodom

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Bočkay, Martin (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Šagátová, Andrea, 1977- (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Sprache:	Slowakisch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2005
Schlagworte:	elektromateriálové inžinierstvo
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu110180
005	20160719165002.2
008	060223s2005----xo------------------slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
044			\|a xo
100	1		\|a Bočkay, Martin \|4 aut
245	1		\|a Homoštrukturálne VS. heteroštrukturálne GaAs detektory s P-N priechodom
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2005
300			\|a 57 s
650		7	\|a elektromateriálové inžinierstvo \|2 stusub
700	1		\|a Šagátová, Andrea, \|d 1977- \|4 ths \|u E060 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva \|X 2564 \|U E060 \|Y 817 \|7 2564