Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Latinský, Tibor (Autore)
Altri autori: Harmatha, Ladislav, 1948- (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2005
Soggetti:
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu116471
005 20160719165009.3
008 060421s2005----xo------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Latinský, Tibor  |4 aut 
245 1 |a Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2005 
300 |a 34 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
700 1 |a Harmatha, Ladislav,  |d 1948-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 2055  |U E030  |Y 549  |7 A000002055