Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | , |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Štúdium vlastností dusíkom dotovaného Si substrátu kapacitnými meracími metódami
- Analýza vlastností polovodičových štruktúr kapacitnými metódami : Dipl.práca /
- Určovanie generačnej doby života v štruktúrach MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Sledovanie vplyvu teploty substrátu na vlastnosti kovových vrstiev pripravených pilznou laserovou depozíciou
- Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /