Štúdium vlastností rozhrania izolant-polovodič štruktúr MOS
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Štúdium vlastností rozhrania izolant-polovodič štruktúr MOS
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- Elektrická charakterizácia vlastností štruktur MOS s veľmi tenkým oxidom
- Výskum unipolárnych štruktúr MOS v nerovnovážnom stave
- Fotoanódy kov-izolant-polovodič pre foto-elektrochemické zdroje energie
- Radiačná odolnosť CZ a NCZ MOS štruktúr
- Diagnostika štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu