2D modelovanie a simulácia elektrických vlastností laterálného DMOS tranzistora
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu116582 | ||
| 005 | 20150709144110.9 | ||
| 008 | 060424s2005------------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 100 | 1 | |a Košík, Tomáš, |d 1982- |4 aut |u E210 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Katedra mikroelektroniky |X 24473 |U E210 |Y 68 |7 A000024473 | |
| 245 | 1 | |a 2D modelovanie a simulácia elektrických vlastností laterálného DMOS tranzistora | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2005 | ||
| 300 | |a 43 s | ||
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |