Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Vincze, Andrej, 1975- (Autore)
Altri autori: Kováč, Jaroslav, 1947- (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2006
Soggetti:
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu126718
005 20160226102358.0
008 060921s2006------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
080 |a 538.975 
080 |a 539.23 
080 |a 621.315.592 
084 |a A6855  |2 INS 
084 |a A6865  |2 INS 
084 |a A8115  |2 INS 
084 |a B0520  |2 INS 
100 1 |a Vincze, Andrej,  |d 1975-  |4 aut  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 44262  |U E030  |Y 549  |7 A000044262 
245 1 |a Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností :  |b Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2006 
300 |a 148 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
650 7 |a polovodičové štruktúry  |2 stusub 
650 7 |a heteroštruktúry  |2 stusub 
650 7 |a fyzika polovodičov  |2 stusub 
650 7 |a epitaxia  |2 stusub 
650 7 |a kvantové drôty  |2 stusub 
650 7 |a príprava tenkých vrstiev  |2 stusub 
650 7 |a GaAs  |2 stusub 
700 1 |a Kováč, Jaroslav,  |d 1947-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 2102  |U E030  |Y 549  |7 A000002102 
996 |b 284ED01131  |c E*PGŠ-935  |l EE01  |s A  |a 24  |w stu126718_0001