Niektoré aspekty technológie a využitia epitaxných vrstiev INxGa1-xP
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2006
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Niektoré aspekty technológie a využitia epitaxných vrstiev INxGa1-xP
- Heterostructure epitaxy and devices : 2nd international workshop : Konf. HEAD '95, Smolenice, Slovakia, 15.- 19. oct. 1995
- Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
- Dopovacie procesy v CVD epitaxii kremíka : Kand.diz.práca : V.odb. 11-22-9 : Obh. 28.11.1994 /
- Vyšetrovanie epitaxných vrstiev Ga2O3 pomocou ramanovskej spektroskopie
- Metódy vytvárania tenkých vrstiev
- Tribológia povrchových vrstiev