Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám : č.ved.odb. 26-13-9. Dát.obhaj. 20.12.2006
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2006
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Charakterizácia elektrických a optických vlastností delta-dopovaných GaAs vrstiev a kvantových jám :
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Fabrication of GaAs Devices
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Detektory tepelných neutrónov na báze semiizolačného GaAs