Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu