Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu