Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | , |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Výkonové tranzistory MOSFET
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie