Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | , |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Výkonové tranzistory MOSFET
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie