Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu :
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Meranie a vyhodnocovanie vybraných elektrofyzikálných vlastností výkonových trench MOS tranzistorov
- Výskum vlastností materiálov pre pokročilé MOS štruktúry : č.ved.odb. 26-35-9, dát.obhaj. 18.12.2008
- Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu