Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Interaktívne animácie bipolárneho tranzistora s izolovaným hradlom