Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Modelovanie kvantových vlastností štandardného a Schottkyho tranzistora s dvojitým hradlom (DG) na báze Si polovodiča
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Interaktívne animácie bipolárneho tranzistora s izolovaným hradlom