Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktur na báze 4H-SiC
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov
- Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov metódou DLTS
- Identifikácia porúch v Schottkyho štruktúrach na báze SiC spektroskopiou hlbokých hladín
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008