Vplyv neutrónového poškodenia na vlastnosti semiizolačných GaAs detektorov : V.odb. 5.2.48 : Dát. obh. 24.2.2009
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | , |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Vplyv neutrónového poškodenia na vlastnosti semiizolačných GaAs detektorov :
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Polovodičové detektory rýchlych neutrónov vo vysokoteplotnej plazme na báze GaAs
- Semiconductor radiation detectors
- Radiačné poškodenie GaAs detektorov ionizujúceho žiarenia : Č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhaj. 29.06.2005
- Detection properties of radiation imaging detectors based on semi-insulating GaAs = Detekčné vlastnosti radiačných detektorov pre digitálne zobrazovanie na báze semiizolačného GaAs : č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhj. 7.12.2005