Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | , |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Analýza elektrofyzikálných vlastností a energetickej odolnosti moderných výkonových tranzistorov : Dát. obhaj. 17.2.2011, č. ved. odb. 5-2-13
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu