Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Analýza elektrofyzikálných vlastností a energetickej odolnosti moderných výkonových tranzistorov : Dát. obhaj. 17.2.2011, č. ved. odb. 5-2-13
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu