Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | , |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Elektrická charakterizácia kvality Schottkyho diód
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.