Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Muránsky, Viktor (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Žiška, Milan, 1952- (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Sprache:	Slowakisch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2009
Schlagworte:	elektronika Mikroelektronika MOS štruktúry tepelné spracovanie
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu195412
005	20150617230024.8
008	091103s2007------------------------slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
100	1		\|a Muránsky, Viktor \|4 aut \|u E \|T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|U E \|Y 30
245	1		\|a Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2009
300			\|a 40 s
650		7	\|a elektronika \|2 stusub
650		7	\|a Mikroelektronika \|2 stusub
650		7	\|a MOS štruktúry \|2 stusub
650		7	\|a tepelné spracovanie \|2 stusub
700	1		\|a Žiška, Milan, \|d 1952- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 1992 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000001992