Izolačné vlastnosti a prieraz hradlového oxidu štruktúry MOS : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2009
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Izolačné vlastnosti a prieraz hradlového oxidu štruktúry MOS :
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Vplyv podmienok merania na hodnoty prierazného napätia izolačných olejov
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Výskum vlastností materiálov pre pokročilé MOS štruktúry : č.ved.odb. 26-35-9, dát.obhaj. 18.12.2008
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Defects in High-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices