Fundamentals of silicon integrated device technology : Vol. 2. Bipolar and unipolar transistors /
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| Weitere Verfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Englewood Cliffs :
Prentice Hall,
1968
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MARC
| LEADER | 00000nam a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu202371 | ||
| 005 | 20150617230107.5 | ||
| 008 | 100416s1968----xxu-----------------eng-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 044 | |a xxu | ||
| 080 | |a 621.382.323 | ||
| 100 | 1 | |a Burger, R.M. |4 edt | |
| 245 | 1 | |a Fundamentals of silicon integrated device technology : |b Vol. 2. Bipolar and unipolar transistors / |c Ed.: Burger, R.M., Donovan, R.P. | |
| 260 | |a Englewood Cliffs : |b Prentice Hall, |c 1968 | ||
| 300 | |a 16, 480 s | ||
| 700 | 1 | |a Donovan, R.P |4 edt | |
| 996 | |b E32189 |c E*32189 |l EE11 |s P |a 0 |w stu202371_0001 | ||