Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Holásek, Martin, 1986- (Autor)
Otros Autores: Marek, Juraj, 1983- (Orientador)
Formato: Manuscrito Libro
Lenguaje:eslovaco
Publicado: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2010
Materias:
Acceso en línea:VAIS
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu209123
005 20150617230104.4
008 100818s2010------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Holásek, Martin,  |d 1986-  |4 aut  |u E  |T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |X 16090  |U E  |Y 30  |7 A000016090 
242 0 0 |a MODEL DESIGN AND ELECTRIC PROPERTIES SIMULATIONS OF InAlN/GaN HEMT  |y eng 
245 1 |a Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2010 
300 |a 74 s 
650 7 |a HEMT  |2 stusub 
650 7 |a HEMT  |2 stusub 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
650 7 |a počítačová simulácia  |2 stusub 
650 7 |a elektrické vlastnosti  |2 stusub 
700 1 |a Marek, Juraj,  |d 1983-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 24483  |U E030  |Y 549  |7 A000024483 
856 4 |a info a plný text  |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=61379  |3 VAIS