Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2010
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | VAIS |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu209123 | ||
| 005 | 20150617230104.4 | ||
| 008 | 100818s2010------------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 100 | 1 | |a Holásek, Martin, |d 1986- |4 aut |u E |T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |X 16090 |U E |Y 30 |7 A000016090 | |
| 242 | 0 | 0 | |a MODEL DESIGN AND ELECTRIC PROPERTIES SIMULATIONS OF InAlN/GaN HEMT |y eng |
| 245 | 1 | |a Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2010 | ||
| 300 | |a 74 s | ||
| 650 | 7 | |a HEMT |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a HEMT |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a Mikroelektronika |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a počítačová simulácia |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a elektrické vlastnosti |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Marek, Juraj, |d 1983- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 24483 |U E030 |Y 549 |7 A000024483 | |
| 856 | 4 | |a info a plný text |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=61379 |3 VAIS | |