Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním

Gespeichert in:
1. Verfasser: Jarošková, Silvia, 1985- (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Škriniarová, Jaroslava, 1954- (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2010
Schlagworte:
GaN
leptanie
Mikroelektronika
Online-Zugang:VAIS
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu209769
005 20150617230058.9
008 100818s2010------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Jarošková, Silvia,  |d 1985-  |4 aut  |u E  |T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |X 16068  |U E  |Y 30  |7 A000016068 
242 0 0 |a GaN procesing by wet chcemical etching  |y eng 
245 1 |a Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2010 
300 |a 42 s 
650 7 |a GaN  |2 stusub 
650 7 |a leptanie  |2 stusub 
650 7 |a GaN  |2 stusub 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
700 1 |a Škriniarová, Jaroslava,  |d 1954-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 1866  |U E030  |Y 549  |7 A000001866 
856 4 |a info a plný text  |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=61381  |3 VAIS 

Ähnliche Einträge