EUROFORM : Konf. Epitaxial growth of III-V and II-VI semiconductors, Aachen, DBR, 24.- 26. June 1992
Enregistré dans:
| Format: | Livre |
|---|---|
| Langue: | anglais |
| Publié: |
Aachen :
IHT RWTH,
1992
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: EUROFORM :
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Semiconductor interfaces, microstructures and devices: properties and applications /
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Proceedings of the 7th Czecho-Slovak conference on thin films : Konf. Liptovský Mikuláš, 14.- 18. June 1993 : Obs. Zv.1:, s.1-178. Zv.2:, s.179-368 /
- Tenké vrstvy nitridov a oxidov kovov pre aplikácie v mikroelektronike a senzorike : Obhaj. 8.2.2005