Analýza porúch v polovodičových štruktúrach a prvkoch na báze GaN
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | VAIS |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Analýza porúch v polovodičových štruktúrach a prvkoch na báze GaN
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- Aplikácia metódy Monte Carlo v rastrovacej elektrónovej mikroskopii GaN štruktúr : dát. obhaj. 20.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13