Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe

Salvato in:
Autore principale: Neupauer, Marek, 1987- (Autore)
Altri autori: Harmatha, Ladislav, 1948- (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2011
Soggetti:
Microelectronics
Mikroelektronika
Accesso online:VAIS
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu230492
005 20150617230137.6
008 110709s2011----xo------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Neupauer, Marek,  |d 1987-  |4 aut  |u E  |T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |X 35777  |U E  |Y 30  |7 A000035777 
242 0 0 |a Characterization of ZrO2 layers for GaN MOSHFET transistor.  |y eng 
245 1 |a Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe  
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2011 
300 |a 57 s 
650 7 |a Microelectronics  |2 estusub 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
700 1 |a Harmatha, Ladislav,  |d 1948-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 2055  |U E030  |Y 549  |7 A000002055 
856 4 |a info a plný text  |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=71674  |3 VAIS 
996 |b 284EP09969  |c E*DIPL-9969  |l EE33  |s P  |a 0  |w stu230492_0001 

Documenti analoghi