Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
- Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Analýza, návrh a simulácia výkonového tranzistora UMOS
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie