Naparovanie tenkých vrstiev GaAs v ultravýkuu : Dielčia etapová správa štátnej výskumnej úlohy III-3-3 (1, časť b)
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Libro |
| Publicado: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1972
|
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Naparovanie tenkých vrstiev GaAs v ultravýkuu :
- Fabrication of GaAs Devices
- GaAs devices and circuits /
- GaAs detektory rýchlych neutrónov
- Double-heterostructure AlGaAs/GaAs lasers = AlGaAs/GaAs lasery s dvojitým heteropriechodom : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 04. 04. 2002
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Charakterizácia elektrických a optických vlastností Si-delta dopovaných GaAs vrstiev