Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť II KE 09 Technologické postupy realizácie štruktúr na báze GaAs : Záverečná výskumná správa III-7-2/01
Guardado en:
| Autores principales: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Libro |
| Publicado: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1990
|
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť II KE 09 Technologické postupy realizácie štruktúr na báze GaAs :
- Fabrication of GaAs Devices
- GaAs devices and circuits /
- Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 /
- GaAs detektory rýchlych neutrónov
- Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť I : Záverečná výskumná správa III-7-2/01
- Double-heterostructure AlGaAs/GaAs lasers = AlGaAs/GaAs lasery s dvojitým heteropriechodom : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 04. 04. 2002