Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2012
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | VAIS |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
- Optimalizácia hradlového dielektrika organických poľom riadených tranzistorov (OFET)
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Návrh a vývoj technologických procesov pre vytvorenie organického tenkovrstvového integrovaného obvodu na báze pentacénu
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov