Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2012
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | VAIS |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Modifikácia povrchu hradlového dielektrika organického poľom riadeného tranzistora pomocou HMDS
- Optimalizácia hradlového dielektrika organických poľom riadených tranzistorov (OFET)
- Príprava a charakterizácia elektrických vlastností organických poľom riadených tranzistorov na báze pentacénu
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Návrh a vývoj technologických procesov pre vytvorenie organického tenkovrstvového integrovaného obvodu na báze pentacénu
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Meranie a analýza vlastností organických poľom riadených tranzistorov