Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu266459 | ||
| 005 | 20150617230222.6 | ||
| 008 | 130510s2013----xo------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Pecháček, Juraj, |d 1979- |4 aut |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 29057 |U E030 |Y 549 |7 A000029057 | |
| 242 | 0 | 0 | |a Electrical characterisation of Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures |y eng |
| 245 | 1 | |a Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : |b dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13 | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2013 | ||
| 300 | |a 233 s |c AUTOREF. 2013, 31 s. | ||
| 650 | 7 | |a Microelectronics |2 estusub | |
| 650 | 7 | |a koncentračný profil |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a GaN |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Harmatha, Ladislav, |d 1948- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 2055 |U E030 |Y 549 |7 A000002055 | |
| 856 | 4 | |a info a plný text |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=51292 |3 VAIS | |
| 996 | |b 284ED01408 |c E*ZP-272 |l EE01 |s A |a 24 |w stu266459_0001 | ||