Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Detekcia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC
- Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
- Štúdium vplyvu chemického zloženia na vlastnosti keramického kompozitu Si3N4+SiC
- SiC detektory pre neutrónovú digitálnu rádiografiu