Ultratenký tranzistor MOSFET na báze InAs
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Ultratenký tranzistor MOSFET na báze InAs
- Vplyv ionizujúceho žiarenia na elektronické prvky a obvody
- Štúdium elektrických reaktívnych pohonných systémov
- Pseudobulk Metallic Glasses Prepared by Rapid Quenching of the Melt : dát. obhaj. 16.8.2013, č. ved. odb. 5-2-48
- Šírenie tepla v ochranných diódach s p-n priechodom
- Využitie synchrotrónového žiarenia pri štúdiu nanokryštalických zliatín : dát. obhaj. 11.7.2013, č. ved. odb. 5-2-48
- Nové skenovacie metódy magnetickej silovej mikroskopie : dát. obhaj. 4.12.2014, č. ved. odb. 5-2-48