Ultratenký tranzistor MOSFET na báze InAs
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | inglês |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2014
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | VAIS |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Ultratenký tranzistor MOSFET na báze InAs
- Vplyv ionizujúceho žiarenia na elektronické prvky a obvody
- Štúdium elektrických reaktívnych pohonných systémov
- Pseudobulk Metallic Glasses Prepared by Rapid Quenching of the Melt : dát. obhaj. 16.8.2013, č. ved. odb. 5-2-48
- Šírenie tepla v ochranných diódach s p-n priechodom
- Využitie synchrotrónového žiarenia pri štúdiu nanokryštalických zliatín : dát. obhaj. 11.7.2013, č. ved. odb. 5-2-48
- Nové skenovacie metódy magnetickej silovej mikroskopie : dát. obhaj. 4.12.2014, č. ved. odb. 5-2-48