Príspevok k problematike skúmania pohyblivosti nosičov náboja v kanáli MIS tranzistora : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.03.1989 : Projekt III-6-1/13,III-7-2/04 /
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1988
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Príspevok k problematike skúmania pohyblivosti nosičov náboja v kanáli MIS tranzistora :
- Štúdium ambipolárného transportu nosičov náboja v konjugovaných organických polovodičoch využitím OFET tranzistorov
- Polovodičové součástky typu MIS /
- Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
- The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
- Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
- Polovodičové súčiastky /