Fotoluminiscenčná analýza poloizolačného GaAs/Cr/ : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 03.12.1987 : Projekt III-6-1/12 /
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1987
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Fotoluminiscenčná analýza poloizolačného GaAs/Cr/ :
- Fabrication of GaAs Devices
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Detection properties of radiation imaging detectors based on semi-insulating GaAs = Detekčné vlastnosti radiačných detektorov pre digitálne zobrazovanie na báze semiizolačného GaAs : č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhj. 7.12.2005