Výskum rastu štruktúr A3B5 metódou molekulárnej zväzkovej epitaxie : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1993 /
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1993
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Výskum rastu štruktúr A3B5 metódou molekulárnej zväzkovej epitaxie :
- Optické meranie hrúbok epitaxných vrstiev rastených metódou molekulárnej zväzkovej epitaxie (MBE) : Dipl.práca
- Syntéza MOS štruktúr : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
- Výskum MOS štruktúr fotoelektrickými metódami : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.01.1982 : Projekt III-4-3/1 /
- Výskum podmienok prípravy a vlastností Schottkyho štruktúr so silicidom platiny : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.02.1980 /
- Príspevok k štúdiu pohyblivých iónov v izolačnej vrstve štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 11.11.1982 /
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005