Príspevok k technológii prípravy optoelektronických prvkov na báze InP: defekty : Habil.práca : Obh. 00.01.1993 /
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave EF,
1993
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Príspevok k technológii prípravy optoelektronických prvkov na báze InP: defekty :
- Defekty kristaličeskoj rešetki metallov /
- Lavínová fotodióda s oddelenou absorpčnou nábojovou a násobiacou vrstvou na báze InGaAs/InP : Ved. od. 26-13-9. Obh. 10.3.2006
- Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
- Tunable resonant cavity enhanced photodetectors : Diz.práca: Obh. 22.12.1999
- Properties of indium phosphide
- Poverchnostnyje defekty legirovannych stalej /