Properties of gallium arsenide

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Stillman, G.E (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Brozel, M.R (Zusammenstellung)
Format: Buch
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: London : Institution of Electrical Engineers, 1996
Ausgabe:3.ed.
Schriftenreihe:EMIS datareviews series 16
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000nam a22000003a 4500
001 stu53398
005 20150617225703.2
008 000502s1996----uk------------------eng-d
020 |a 0-85296-885-X 
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a eng 
044 |a uk 
080 |a 538.9  |7 stu_us_auth*stu7967 
080 |a 621.315.592 
084 |a A6865  |2 INS 
084 |a A7220  |2 INS 
084 |a A7320D  |2 INS 
084 |a A7360  |2 INS  |7 stu_us_auth*stu6108 
084 |a A7865  |2 INS 
084 |a B2520  |2 INS 
084 |a B2530  |2 INS  |7 stu_us_auth*stu6107 
100 1 |a Brozel, M.R.  |4 com 
245 1 |a Properties of gallium arsenide 
250 |a 3.ed. 
260 |a London :  |b Institution of Electrical Engineers,  |c 1996 
300 |a 981 s 
650 7 |a fyzika polovodičov  |2 stusub 
650 7 |a fyzika tuhých látok  |2 stusub 
650 7 |a polovodičové materiály  |2 stusub 
650 7 |a polovodičové štruktúry  |2 stusub 
650 7 |a epitaxiálny rast  |2 stusub 
650 7 |a arzenidy  |2 stusub 
650 7 |a GaAs  |2 stusub 
700 1 |a Stillman, G.E.  |4 aut 
830 0 |a EMIS datareviews series  |v 16 
996 |b EIEE-163  |c E*IEE-163  |l EE01  |s A  |a 24  |w stu53398_0001