Preparation and properties of ohmic and Schottky/barrier contects on GaN : Diplomová práca
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | , , |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | inglês |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2000
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Preparation and properties of ohmic and Schottky/barrier contects on GaN :
- Preparation and properties of GaAs photodetectors : Diplomová práca
- Homoštrukturálne VS. heteroštrukturálne GaAs detektory s P-N priechodom
- GaAs detektory pre detekciu neutrónov
- Modelovanie vzniku a vlastností horúcich elektrónov v GaAs
- Optimalization of Semi-Insulating GaAs Detector of Ionizing Radiation for Modern Digital Radiography = Optimalizácia semi-ionizačného GaAs detektora ionizujúceho žiarenia pre modernú digitálnu rádiografie
- Štúdium radiačného poškodenia detektorov ionizujúceho žiarenia na báze semiizolačného GaAs