Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 /

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Hotový, Ivan, 1957- (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Harman, Rudolf (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave EF, 1994
Schlagworte:	fyzika polovodičov integrované obvody VLSI magnetrónové naprašovanie nitridové vrstvy NbN TiN
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu7105
005	20150617225808.9
008	------s1994----------------------------d
040			\|a STU \|b slo
041	0
100	1		\|a Hotový, Ivan, \|d 1957- \|4 aut \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 4233 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000004233
245	1		\|a Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : \|b Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 / \|c [aut.] Hotový,Ivan, Ing.; Škol. Harman,Rudolf
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave EF, \|c 1994
300			\|a 122 s \|c Autoref.1994, 17 s
650		7	\|a fyzika polovodičov \|2 stusub
650		7	\|a integrované obvody \|2 stusub
650		7	\|a VLSI \|2 stusub
650		7	\|a magnetrónové naprašovanie \|2 stusub
650		7	\|a nitridové vrstvy \|2 stusub
650		7	\|a NbN \|2 stusub
650		7	\|a TiN \|2 stusub
700	1		\|a Harman, Rudolf \|4 ths
996			\|b 284ED00076 \|c E*KDIZ-702 \|l EE01 \|s A \|a 24 \|w stu7105_0001