Ohmické kontakty pre polovodičové materiály typu A3B5
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2001
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Ohmické kontakty pre polovodičové materiály typu A3B5
- Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005
- Materiály pre elektrické kontakty
- Automatizovaný prúdový zdroj pre polovodičové lasery
- Výkonové polovodičové systémy /
- Výkonové polovodičové laserové diódy
- Elektrické kontakty na diamantových s DLC vrstvách