Ohmické kontakty pre polovodičové materiály typu A3B5
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2001
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Ohmické kontakty pre polovodičové materiály typu A3B5
- Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005
- Materiály pre elektrické kontakty
- Automatizovaný prúdový zdroj pre polovodičové lasery
- Výkonové polovodičové systémy /
- Výkonové polovodičové laserové diódy
- Elektrické kontakty na diamantových s DLC vrstvách