Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách : V. odb. 26-13-9. Obh. 01.03.2001
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
SAV,
2000
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách :
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Heterostructure epitaxy and devices : Workshop : Konf. Smolenice Castle, Slovak Republic, 17.- 21. Oct.1993
- Úvod do kvantové fysiky polovodičů
- Third Bratislava days on molecular beam epitaxy : International Worshop : Konf. MBE, Bratislava, Slovak Republic, 16.- 17. May 1996 /
- Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
- Issledovanije vozmožnostej prigotovlenija plenok u struktup VTSP pri pomošči lasernych technologij = Výskum možností prípravy tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodičov pomocou laserových technológií : Kan.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 29.06.1994 /