Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2002
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu81321 | ||
| 005 | 20160719164729.4 | ||
| 008 | 030702s2002------------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 100 | 1 | |a Windisch, Tibor |4 aut | |
| 245 | 1 | |a Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2002 | ||
| 300 | |a 52 s | ||
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Stuchlíková, Ľubica, |d 1967- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 1997 |U E030 |Y 549 |7 A000001997 | |