Optická charakterizácia GaSb : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 18.06.2003
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2002
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Optická charakterizácia GaSb :
- Double-heterostructure AlGaAs/GaAs lasers = AlGaAs/GaAs lasery s dvojitým heteropriechodom : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 04. 04. 2002
- Fotodetektory na báze heteropriechodov InGaAsp/InP : Habil.práca : Obh. 26.06.1994 /
- Moderní učebnice elektroniky. 3. díl. Optoelektronika a optoelektrociké prvky : LED, laserová dioda, fotodioda...
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Pulzná laserová depozícia LSMO
- Pulzná laserová depozícia MgO