Optimalizácia vybraných vlastností rozhrania izolant - arzenid gália : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 15.02.1996 /
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | Manuskript Buch |
| Veröffentlicht: |
Piešťany :
Fyzikálny ústav SAV,
1995
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Optimalizácia vybraných vlastností rozhrania izolant - arzenid gália :
- Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
- III-IV quantum system research
- Analýza kinetiky procesov v polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín : Kand.diz.práca : Obh. 24.09.1996 /
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Využitie povrchovej akustickej vlny na vyšetrovanie hlbokých prímesových hladín : Kand.diz.práca : V.odb. 26-06-9 : Obh. 06.09.1994 /
- Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /