Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Manuskript Buch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1995
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP :
- Optoelectronic devices in e-learning = Optoelektronické prvky ako súčasť elektronického vzdelávania
- Vybrané problémy technológie organických polovodičov pre optoelektronické aplikácie
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
- Meranie vybraných parametrov optoelektronických polovodičových prvkov
- Optoelektronické zpracování informace /