Meranie impulzných charakteristík HEMT tranzistorov na čipe
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
2025
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184536 |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Meranie impulzných charakteristík HEMT tranzistorov na čipe
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín