Meranie impulzných charakteristík HEMT tranzistorov na čipe
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
2025
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184536 |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Meranie impulzných charakteristík HEMT tranzistorov na čipe
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín