Návrh MEMS senzorov plynov na báze HEMT-SAW snímacích štruktúr : dát. obhaj. 20.8.2015, č. ved. odb. 5-2-13

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Rýger, Ivan (Autor)
Otros Autores: Lalinský, Tibor (Orientador)
Formato: Manuscrito Libro
Lenguaje:eslovaco
inglés
Publicado: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2015
Materias:
Acceso en línea:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=95101
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp29648
003 SK-STU
005 20230413110449.8
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a eng 
100 1 |a Rýger, Ivan  |u E030  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 35103  |U E030  |Y 549  |7 A000035103 
245 1 0 |a Návrh MEMS senzorov plynov na báze HEMT-SAW snímacích štruktúr :  |b dát. obhaj. 20.8.2015, č. ved. odb. 5-2-13 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2015 
300 |a 126 s.,  |b AUTOREF. 2015, 32 s. 
650 4 |a plynový senzor vodíka  |2 slo 
650 4 |a Schottkyho dióda  |2 slo 
650 4 |a tranzistor s vysokou pohyblivosťou elektrónov  |2 slo 
650 4 |a absorpčná vrstva  |2 slo 
650 4 |a kovový oxid  |2 slo 
650 4 |a výška Schottkyho bariéry  |2 slo 
650 4 |a povrchové akustické vlny  |2 slo 
650 4 |a interdigitálny menič  |2 slo 
650 4 |a akustický vlnovod  |2 slo 
650 4 |a zovšeobecnené Rayleigho vlny  |2 slo 
650 4 |a oscilátor s oneskorovacou linkou  |2 slo 
650 4 |a nitrid gália  |2 slo 
650 4 |a trojnásobne prenesený signál  |2 slo 
650 4 |a algoritmus diferenciálnej evolúcie  |2 slo 
650 4 |a Schottky diode  |2 eng 
650 4 |a metal oxide  |2 eng 
650 4 |a Schottky barier height  |2 eng 
650 4 |a surface acoustic wave  |2 eng 
650 4 |a interdigital transducer  |2 eng 
650 4 |a acoustic waveguide  |2 eng 
650 4 |a generalized Rayileigh waves  |2 eng 
650 4 |a delay line oscillator  |2 eng 
650 4 |a gallium nitride  |2 eng 
650 4 |a triple transit echo  |2 eng 
650 4 |a differential evolution  |2 eng 
650 4 |a hydrogen gas sensor  |2 eng 
650 4 |a high electron mobility transistor  |2 eng 
650 4 |a absorbing layer  |2 eng 
700 1 |a Lalinský, Tibor  |r Z5  |4 ths 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=95101 
996 |b 284ED01496  |c E*ZP-363  |l EE01  |s A  |a 24  |w stuzp29648_0001 
SQL |a stuzp29648  |b DDZ  |c ENG  |d Návrh MEMS senzorv plynov na báze HEMT-SAW snímacích štruktúr  |e 35103  |f Rýger, Ivan  |g 033000  |h 4324  |i Lalinský, Tibor  |j 20150820  |k 99  |l 03  |m http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=95101  |n D-ME  |o 5.2.13. elektronika