Rozvoj metód návrhu nízkopríkonových IO a získavania energie priamo na čipe : dát. obhaj. 28.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2016
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130782 |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Rozvoj metód návrhu nízkopríkonových IO a získavania energie priamo na čipe :
- Návrh testovacej dosky pre IO s ultra-nízkym napájacím napätím
- Príspevok k ultra nízkonapäťovým a nízkopríkonovým systémom na čipe
- Simulácia a modelovanie elektrických vlastností MOS tranzistora zabudovaného do DPS
- Analýza a optimalizácia vlastností MOS tranzistora namáhaného cyklickým výkonovým testom za podpory simulácií
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou