Elektrické vlastnosti nových pamäťových elementov na základe odporového prepínania

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Rychlý, Michal (Autore)
Altri autori: Váry, Michal (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: 2017
Soggetti:
Accesso online:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131093
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp41375
003 SK-STU
005 20170726123125.8
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Rychlý, Michal  |u 032000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky  |X 9045  |U E020  |Y 548  |7 9045 
242 0 1 |a Electrical properties of New Memory Elements based on Resistive switching  |y eng 
245 1 0 |a Elektrické vlastnosti nových pamäťových elementov na základe odporového prepínania 
260 |c 2017 
300 |a 39 s. 
650 4 |a RRAM  |2 slo 
650 4 |a Odporové prepínanie  |2 slo 
650 4 |a pamäte  |2 slo 
650 4 |a Resistive switching  |2 eng 
650 4 |a memory  |2 eng 
650 4 |a RRAM  |2 eng 
700 1 |a Váry, Michal  |u 032000  |k Z1  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky  |X 2970  |U E020  |Y 548  |7 A000002970 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131093 
996 |b 284ER02419  |c E*Bc- 2419  |l EE32  |s P  |a 0  |w stuzp41375_0001